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Modell: | CR1909 | Eigenschaft: | Hochleistung |
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Name: | Kristall TSAG Faraday | Art: | Synthetisches kristallenes Material |
Anwendung: | Für Faraday-Rotator und -isolator | certification: | Rosh/Reach |
Verdet-Konstante: | 20% höher als TGG | Absorption: | <3000ppm> |
Markieren: | Gadolinium-Gallium-Granat,GGG-Substrat,Kristall TSAG Faraday |
TSAG-Kristallhochleistung für Faraday-Rotator und -isolator besser als 38dB
TSAG Kristall Faraday wird im Bereich von der Wellenlänge 400-1600nm verwendet.
Verglichen mit TGG, hat es eine größere Verdet-Konstante (20% höher als TGG) und Koeffizienten einer niedrigere Absorption (30% niedriger als TGG).
TSAG ist ein unentbehrlicher Kristall für Laser der hohen Leistung der nächsten Generation.
Hauptmerkmale
1. Verdet-Konstante 20% höher als TGG (48radT-1m-1 an 1064nm)
2. Absorption 30% niedriger als TGG (<3000ppm/cm an 1064nm)
3. Stellen Sie Ihren Isolator klein her
Haupteigenschaften
Eigentum | Wert |
Chemische Formel | Al3O12Sc2 TB-3 |
Gitter-Parameter | a=12.3Å |
Dichte | 5.91g/cm3 |
Schmelzpunkt | 1970℃±10℃ |
Wachstums-Methode | Czochralski |
Crystal Structure | Kubik, Raumgruppe Ia3d |
Dichte | 5,91 g/cm3 |
Crystro-Angebote
Eigentum | Wert |
Orientierung | ±15 ′ |
Wellenfront-Verzerrung | <λ/8 |
Löschungs-Verhältnis | >30dB |
Durchmesser-Toleranz | +0.00mm/-0.05mm |
Längen-Toleranz | +0.2mm/-0.2mm |
Abschrägung | 0.1mm @ 45° |
Flachheit | <λ/10 an 633nm |
Parallelismus | <3 ′ |
Perpendicularity | <5 ′ |
Oberflächenbeschaffenheit | 10/5 |
AR-Beschichtung | <0.2% @ 1064nm |
Ansprechpartner: Ms. Wu
Telefon: 86-18405657612
Faxen: 86-0551-63840588